from ScienceDaily
HKUSTの研究者は、他の研究機関と共同で、半導体製造用の画期的なマスクレス・リソグラフィー・プロトタイプ・プラットフォームを開発した。この新技術は、マスクレス露光で深紫外マイクロLEDを使用し、光取り出し効率と全体的な性能を向上させる。
研究チームの成果はNature Photonicsに掲載され、中国の第3世代半導体技術におけるトップレベルの進歩として認められている。研究チームは今後、AlGaN深紫外マイクロLEDの性能をさらに高め、高解像度のディスプレイ画面を開発する予定である。
この技術革新は、半導体製造技術における重要な前進である。
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