from ScienceDaily
世界的な科学者チームが、超伝導ゲルマニウムの創製という画期的な偉業を達成した。この開発は、電子デバイスや量子デバイスに革命をもたらし、消費電力を抑えながら性能を大幅に向上させる可能性がある。
研究者たちは、ガリウムのドーピングによってゲルマニウムの原子構造を変化させることで、材料に超伝導を誘導し、電流が抵抗なく無限に流れるようにすることに成功した。分子線エピタキシー法のような精密ツールによって可能になったこのブレークスルーは、スケーラブルな量子デバイスや低消費電力の極低温エレクトロニクスの新たな可能性を開くものである。
複数の研究機関の研究者が参加し、米空軍の支援を受けたこの研究は、材料科学技術分野における大きな進歩を意味する。
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